什么是LED倒装芯片，LED倒装芯片制备流程

LED倒装芯片是一种新型的LED封装技术。它的命名主要得益于其制造过程中，芯片是倒过来安装的，即发光层面朝下，这与传统的正装芯片完全相反。这种倒装设计优化了FQA10N80C芯片的光学性能，提高了照明效率，降低了功耗，使得倒装芯片在LED照明市场中占有一席之地。

倒装LED芯片，通过MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构层，由P/N结发光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni- Au组成的金属电极层。

P区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展，Ni-Au金属电极层就不能太薄。为此，器件的发光效率就会受到很大影响，通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。

但无论在什么情况下，金属薄膜的存在，总会使透光性能变差。此外，引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。 采用GaN LED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。

首先，我们来了解一下LED倒装芯片的制备流程。此流程大致可以划分为以下几个步骤：

1. 提供一块衬底材料，这种材料需要是透明的，以便光能够通过。常用的衬底材料有 Sapphire (蓝宝石)、SiC、GaAs 等。

2. 在衬底材料上生长出一个电介质层。这一层的作用是防止电流直接流向衬底，而是只能通过发光层。

3. 在电介质层上生长出发光层。发光层的材料通常是包含有不同种类掺杂物的半导体材料。

4. 在发光层上形成第一个电极，这个电极也是透明的，以便光能够通过。

5. 最后，在电极的上方再生长出一层电介质层，并在其上形成第二个电极。

至于LED倒装芯片和正装芯片的主要差别，主要体现在以下几个方面：

1. 结构差异：正装芯片是指LED芯片的发光面朝上，而倒装芯片则是将发光面朝下，使得光通过衬底（基板）发出。因此，倒装芯片的发光效率比正装芯片更高。

2. 工艺差异：正装芯片的制作工艺相对简单，而倒装芯片的制作工艺较为复杂。因为倒装芯片需要在生长完半导体材料后，再进行倒装，这个过程需要较高的技术水平和精密的设备。

3. 性能差异：由于倒装芯片的独特结构，使得它具有较高的发光效率和较好的热性能。因此，倒装芯片的性能通常优于正装芯片。

4. 成本差异：由于倒装芯片的制作工艺复杂，其生产成本通常高于正装芯片。但是，由于其优良的性能，使得它在高端市场中有着广泛的应用。

总的来说，LED倒装芯片是一种新型的LED封装技术，它通过改变芯片的结构和制备流程，解决了正装芯片在光输出效率，热性能和高功率应用中的一些问题，为LED照明提供了更高效，更可靠的解决方案。