GV C703 AE01 3BHB045647R0008 ABB 栅极电容进行充放电

概述：

GV C703 AE01 3BHB045647R0008 ABB在决定晶体管的驱动要求的元素中，还有一种更为棘手的损耗源。在栅极电容充放电过程中，开关会在全开和全关状态之间存在一个过渡期，此时开关上会出现电压，且会有电流流过开关。由于同时存在较高的电压和较高的电流，因此这类开关损耗会造成相当大的功耗，有时会达到几十瓦，以及进一步的效率降级。因此，通过更快地对栅极电容进行充放电来缩短过渡期的持续时间是有好处的。

如果GV C703 AE01 3BHB045647R0008 ABB输出电压甚至高到足以使晶体管导通，那么大多数微控制器提供的低电流信号在驱动高功率晶体管时都会慢得令人发指，效率极低。

GV C703 AE01 3BHB045647R0008 ABB 栅极电容进行充放电

GV C703 AE01 3BHB045647R0008 ABB has a more difficult loss source among the elements that determine the drive requirements of the transistor. During the charging and discharging of the gate capacitor, there is a transition period between the full on and full off state of the switch, at which time a voltage will appear on the switch and a current will flow through the switch. Due to the presence of both higher voltages and higher currents, this type of switching loss causes considerable power consumption, sometimes tens of watts, as well as further efficiency degradation. Therefore, it is beneficial to shorten the duration of the transition period by charging and discharging the gate capacitor more quickly.

If the GV C703 AE01 3BHB045647R0008 ABB output voltage is even high enough to make the transistor on, then the low-current signal provided by most microcontrollers will be outrageously slow and inefficient at driving high-power transistors.

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